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IXTH160N075T
IXTQ160N075T
270
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
240
210
T J = -40oC
25oC
150oC
120
100
T J = - 40oC
25oC
180
150
80
120
60
150oC
90
40
60
30
0
20
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
50
100
150
200
250
300
270
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
240
210
180
150
9
8
7
6
5
V DS = 37V
I D = 25A
I G = 10mA
120
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
C oss
C rss
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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